05 ноября 2024 г.

В Москве в Федеральном исследовательском центре «Информатика и управление» Российской академии наук прошла VI Международная научная конференция «Математическое моделирование в материаловедении электронных компонентов» (МММЭК-2024). Организаторы научного форума — ФИЦ ИУ РАН, АО «Научно-исследовательский институт молекулярной электроники» (АО НИИМЭ), факультет Вычислительной математики и кибернетики МГУ им. М.В. Ломоносова, Консорциум «Перспективные материалы и элементная база информационных и вычислительных систем», Научный совет РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для их создания».

В конференции приняли участие специалисты в области математического моделирования в материаловедении ЭКБ (электронно-компонентной базы), в области физики твердого тела, неорганической химии, представляющие ведущие научные школы Москвы, Новосибирска, Хабаровска, регионов РФ, ближнего и дальнего зарубежья. Участники мероприятия обсудили научные проблемы создания исследовательской инфраструктуры для синтеза новых материалов с заданными свойствами, математического моделирования в структурном материаловедении, моделирования работы многоуровневых элементов памяти для компьютеров следующего поколения, проблемы квантовых технологий и квантового моделирования.

Молодые учёные Хабаровского Федерального исследовательского центра ДВО РАН приняли участие в работе 2-х секций конференции. В секции «Квантовые технологии. Проблемы развития материаловедения квантоворазмерных электронных гетероструктур» с докладами выступили сотрудники Вычислительного центра ДВО РАН:

- младший научный сотрудник, аспирант ХФИЦ К.В. Образцов (доклад «Квантово-механическое исследования дырочных кубитов в двухмерных слоях германия»);

- младший научный сотрудник, аспирант ХФИЦ С.С. Булах (доклад «Поведение электронного кубита в 2D слое MoS2»);

- дистанционно доклад представил младший научный сотрудник, аспирант ХФИЦ А.В. Прохоренко (доклад «Предсказательное моделирование новых двумерных аллотропов кремния»)

В секции «Моделирование размерных, радиационных, поверхностных и других дефектов в полупроводниковой наноэлектронике» инженер Д.М. Смотрова в онлайн-формате представила доклад «Квантово-механическое моделирование атомной и электронной структуры фаз Re6Se8Cl2».

Пресс-служба ХФИЦ ДВО РАН
по информации ВЦ ДВО РАН
Фото с сайта https://conference.mmgs.ru/conferences/mmmsec2024

Вернуться к списку новостей раздела